MUN5311DW1T1

Hersteller Produktnummer:

MUN5311DW1T1

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MUN5311DW1T1-DG

Beschreibung:

TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

Detaillierte Beschreibung:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Inventar:

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12847302

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MUN5311DW1T1 Technische Spezifikationen

Kategorie

Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emittersockel (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - Max

385mW

Art der Montage

Surface Mount

Paket / Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gerätepaket für Lieferanten

SC-88/SC70-6/SOT-363

Basis-Produktnummer

MUN53

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

MUN5311DW1T1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

MUN5311DW1T1OSTR

ONSONSMUN5311DW1T1

2156-MUN5311DW1T1-ONTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

RoHS non-compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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