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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
MUN5235DW1T1
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MUN5235DW1T1-DG
Beschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventar:
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MUN5235DW1T1 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
-
Leistung - Max
250mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis-Produktnummer
MUN52
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-MUN5235DW1T1
2156-MUN5235DW1T1-ONTR-DG
ONSONSMUN5235DW1T1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
UMH10NFHATN
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7975
TEILNUMMER
UMH10NFHATN-DG
Einheitspreis
0.07
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