Hersteller Produktnummer:
MUN5112T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MUN5112T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Inventar:
13240 Stück Neu Original Auf Lager
12841930
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EINREICHEN
MUN5112T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
202 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70-3 (SOT323)
Basis-Produktnummer
MUN5112
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MUN5112T1G-DG
MUN5112T1GOSTR
2832-MUN5112T1G
MUN5112T1GOSDKR
MUN5112T1GOSCT
2156-MUN5112T1G-OS
ONSONSMUN5112T1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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