MUN2236T1G
Hersteller Produktnummer:

MUN2236T1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MUN2236T1G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59

Inventar:

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12840137
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MUN2236T1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
338 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59
Basis-Produktnummer
MUN2236

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
MUN2236T1G
HTML-Datenblatt
MUN2236T1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-MUN2236T1GTR
MUN2236T1GOS
ONSONSMUN2236T1G
2156-MUN2236T1G-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTC114EKAT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1842472
TEILNUMMER
DTC114EKAT146-DG
Einheitspreis
0.02
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