MUN2212T1
Hersteller Produktnummer:

MUN2212T1

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MUN2212T1-DG

Beschreibung:

TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12851193
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Menge
Mindestens 1
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MUN2212T1 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
338 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59
Basis-Produktnummer
MUN2212

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MUN2212T1OSCT
2156-MUN2212T1-ONTR
ONSONSMUN2212T1
MUN2212T1OSTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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