Hersteller Produktnummer:
MTD6P10E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MTD6P10E-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12853215
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MTD6P10E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
840 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.75W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
MTD6P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
MTD6P10EOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SPD04P10PLGBTMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SPD04P10PLGBTMA1-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
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