MPSH10RLRAG
Hersteller Produktnummer:

MPSH10RLRAG

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MPSH10RLRAG-DG

Beschreibung:

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventar:

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12854464
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MPSH10RLRAG Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25V
Frequenz - Übergang
650MHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
-
Gewinnen
-
Leistung - Max
350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92 (TO-226)
Basis-Produktnummer
MPSH10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
MPSH10RLRAG
HTML-Datenblatt
MPSH10RLRAG-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
MPSH10RLRAGOS

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
BFR193WH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
29118
TEILNUMMER
BFR193WH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.07
ERSATZART
Similar
Teilenummer
HFA3102BZ
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
1811
TEILNUMMER
HFA3102BZ-DG
Einheitspreis
4.23
ERSATZART
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MMBTH10LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
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0.02
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
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