Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
MMJT350T1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MMJT350T1G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 650 mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
12839912
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
MMJT350T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
650 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223 (TO-261)
Basis-Produktnummer
MMJT350
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
MMJT350T1G
HTML-Datenblatt
MMJT350T1G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
MMJT350T1GOSDKR
MMJT350T1GOSCT
MMJT350T1GOSTR
MMJT350T1G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
KSD288OTU
TRANS NPN 55V 3A TO220-3
KSC3503DSTSTU
TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3
FJN3303FBU
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3
KSA910YSHTA
TRANS PNP 150V 0.05A TO92-3