Hersteller Produktnummer:
MMBT6517LT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MMBT6517LT1G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 100 mA 200MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
12852236
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MMBT6517LT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
225 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Basis-Produktnummer
MMBT6517
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MMBT6517LT1GOSCT
MMBT6517LT1GOSDKR
MMBT6517LT1GOSTR
MMBT6517LT1GOS-DG
MMBT6517LT1GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
CMPT6517 TR PBFREE
HERSTELLER
Central Semiconductor Corp
VERFÜGBARE ANZAHL
37140
TEILNUMMER
CMPT6517 TR PBFREE-DG
Einheitspreis
0.09
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