MMBT6427LT1G
Hersteller Produktnummer:

MMBT6427LT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MMBT6427LT1G-DG

Beschreibung:

TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 500 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

117156 Stück Neu Original Auf Lager
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MMBT6427LT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 500µA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
20000 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
225 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Basis-Produktnummer
MMBT6427

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ONSONSMMBT6427LT1G
MMBT6427LT1GOSDKR
MMBT6427LT1GOS
MMBT6427LT1GOSTR
2156-MMBT6427LT1G-OS
MMBT6427LT1GOS-DG
MMBT6427LT1GOSCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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