Hersteller Produktnummer:
MMBT5551M3T5G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MMBT5551M3T5G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 60 mA 265 mW Surface Mount SOT-723
Inventar:
17622 Stück Neu Original Auf Lager
12842005
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MMBT5551M3T5G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
60 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
160 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Leistung - Max
265 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-723
Basis-Produktnummer
MMBT5551
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
8,000
Andere Namen
MMBT5551M3T5G-DG
MMBT5551M3T5GOSDKR
MMBT5551M3T5GOSTR
MMBT5551M3T5GOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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