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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
MMBF170LT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MMBF170LT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
22573 Stück Neu Original Auf Lager
12842007
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MMBF170LT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
225mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
MMBF170
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
MMBF170LT1G
HTML-Datenblatt
MMBF170LT1G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ONSONSMMBF170LT1G
MMBF170LT1GOSDKR
MMBF170LT1GOS
MMBF170LT1GOSTR
MMBF170LT1GOSCT
2156-MMBF170LT1G-OS
MMBF170LT1GOS-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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