Hersteller Produktnummer:
MJE5731G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJE5731G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 350V 1A TO220
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 1 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Inventar:
375 Stück Neu Original Auf Lager
12853165
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MJE5731G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
350 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Leistung - Max
40 W
Frequenz - Übergang
10MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Basis-Produktnummer
MJE5731
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
MJE5731G-DG
MJE5731GOS
2832-MJE5731G
ONSMJE5731G
2156-MJE5731G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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