Hersteller Produktnummer:
MJE521G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJE521G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 40V 4A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
Inventar:
12847943
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EINREICHEN
MJE521G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 1V
Leistung - Max
40 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
MJE521
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2156-MJE521G-ON
MJE521GOS
ONSONSMJE521G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2N5190G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1168
TEILNUMMER
2N5190G-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
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