Hersteller Produktnummer:
MJE271G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJE271G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 6MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Inventar:
12842291
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MJE271G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 1.2mA, 120mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1500 @ 120mA, 10V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
6MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
MJE27
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
MJE271G-DG
2156-MJE271G-ON
ONSONSMJE271G
MJE271GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BD682G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
BD682G-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
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