Hersteller Produktnummer:
MJE200G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJE200G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 40V 5A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126
Inventar:
7148 Stück Neu Original Auf Lager
12849162
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MJE200G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Leistung - Max
15 W
Frequenz - Übergang
65MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
MJE200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
2156-MJE200G-OS
MJE200GOS
ONSONSMJE200G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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