Hersteller Produktnummer:
MJE180PWD
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJE180PWD-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 40V 3A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Inventar:
12851428
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Menge
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MJE180PWD Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
MJE180
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MJE180G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
139
TEILNUMMER
MJE180G-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
MJE180 PBFREE
HERSTELLER
Central Semiconductor Corp
VERFÜGBARE ANZAHL
1112
TEILNUMMER
MJE180 PBFREE-DG
Einheitspreis
0.84
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
MJE180STU
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
7680
TEILNUMMER
MJE180STU-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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