Hersteller Produktnummer:
MJE170
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJE170-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 40V 3A TO126
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Inventar:
12852643
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
MJE170 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
12.5 W
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Basis-Produktnummer
MJE170
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
MJE170OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MJE170G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2379
TEILNUMMER
MJE170G-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
KSH112GTM_SB82051
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MPSA12_D75Z
TRANS NPN DARL 20V 1.2A TO92-3
KSC5030FRTU
TRANS NPN 800V 6A TO3PF
