Hersteller Produktnummer:
MJD45H11-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJD45H11-1G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 80V 8A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventar:
12844165
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MJD45H11-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
90MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Basis-Produktnummer
MJD45
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
2156-MJD45H11-1G-OS
ONSONSMJD45H11-1G
MJD45H111G
2832-MJD45H11-1G
=MJD45H11
MJD45H11-1GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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