Hersteller Produktnummer:
MJD253-1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJD253-1G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 100V 4A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W Through Hole I-PAK
Inventar:
454 Stück Neu Original Auf Lager
12854340
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MJD253-1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
4 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Leistung - Max
1.4 W
Frequenz - Übergang
40MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Basis-Produktnummer
MJD253
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
MJD253-1GOS
MJD2531G
ONSONSMJD253-1G
2832-MJD253-1G
MJD253-1G-DG
2156-MJD253-1G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MJD253T4G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2587
TEILNUMMER
MJD253T4G-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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