Hersteller Produktnummer:
MJD200G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJD200G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 25V 5A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 5 A 65MHz 1.4 W Surface Mount DPAK
Inventar:
2009 Stück Neu Original Auf Lager
12848139
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MJD200G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Leistung - Max
1.4 W
Frequenz - Übergang
65MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
MJD200GOS
MJD200G-DG
ONSONSMJD200G
2156-MJD200G-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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