MJD122T4G
Hersteller Produktnummer:

MJD122T4G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MJD122T4G-DG

Beschreibung:

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Inventar:

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12853820
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MJD122T4G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
4MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD122

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
MJD122T4G
HTML-Datenblatt
MJD122T4G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
MJD122T4GOSTR
2156-MJD122T4G-OS
ONSONSMJD122T4G
MJD122T4GOSDKR
MJD122T4GOS
MJD122T4GOSCT
MJD122T4GOS-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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