MJD112TF
Hersteller Produktnummer:

MJD112TF

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

MJD112TF-DG

Beschreibung:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Inventar:

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MJD112TF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Leistung - Max
1.75 W
Frequenz - Übergang
25MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD11

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
MJD112TFDKR
MJD112TF-DG
MJD112TFCT
MJD112TFTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
2SD1980TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
5674
TEILNUMMER
2SD1980TL-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
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0.24
ERSATZART
Direct
Teilenummer
MJD112RLG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
MJD112RLG-DG
Einheitspreis
0.35
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
NJVMJD112G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NJVMJD112G-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
Direct
Teilenummer
MJD112T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
9138
TEILNUMMER
MJD112T4-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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