Hersteller Produktnummer:
MJ11012G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MJ11012G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Inventar:
32 Stück Neu Original Auf Lager
12850432
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MJ11012G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
Leistung - Max
200 W
Frequenz - Übergang
4MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204 (TO-3)
Basis-Produktnummer
MJ11012
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
MJ11012G-DG
ONSONSMJ11012G
2156-MJ11012G-OS
MJ11012GOS
2832-MJ11012G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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