Hersteller Produktnummer:
MGSF2N02ELT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
MGSF2N02ELT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
38920 Stück Neu Original Auf Lager
12846081
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MGSF2N02ELT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
150 pF @ 5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
MGSF2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
MGSF2N02ELT1GOS-DG
2156-MGSF2N02ELT1G-OS
ONSONSMGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1GOSDKR
MGSF2N02ELT1GOSCT
MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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