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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
KSD882YSTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
KSD882YSTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 3 A 90MHz 1 W Through Hole TO-126-3
Inventar:
1492 Stück Neu Original Auf Lager
12923922
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KSD882YSTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 1A, 2V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
90MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126-3
Basis-Produktnummer
KSD882
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
KSD882YSTU
HTML-Datenblatt
KSD882YSTU-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
60
Andere Namen
2832-KSD882YSTU
ONSONSKSD882YSTU
2156-KSD882YSTU-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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