Hersteller Produktnummer:
KSD363YTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
KSD363YTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 6 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220-3
Inventar:
12852833
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KSD363YTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Last Time Buy
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 5V
Leistung - Max
40 W
Frequenz - Übergang
10MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Basis-Produktnummer
KSD363
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2832-KSD363YTU
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TIP41C
HERSTELLER
NTE Electronics, Inc
VERFÜGBARE ANZAHL
49
TEILNUMMER
TIP41C-DG
Einheitspreis
0.80
ERSATZART
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