IRLW630ATM
Hersteller Produktnummer:

IRLW630ATM

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

IRLW630ATM-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventar:

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IRLW630ATM Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
755 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRLW63

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRLW630ATM
HTML-Datenblatt
IRLW630ATM-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF624SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1814
TEILNUMMER
IRF624SPBF-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
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Teilenummer
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