IRFW630BTM-FP001
Hersteller Produktnummer:

IRFW630BTM-FP001

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

IRFW630BTM-FP001-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.13W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

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IRFW630BTM-FP001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
720 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 72W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRFW630

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFW630BTM-FP001
HTML-Datenblatt
IRFW630BTM-FP001-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
IRFW630BTM_FP001-DG
IRFW630BTM_FP001
2832-IRFW630BTM-FP001TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RCJ120N20TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
33
TEILNUMMER
RCJ120N20TL-DG
Einheitspreis
0.44
ERSATZART
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Teilenummer
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cr
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