Hersteller Produktnummer:
HUFA76619D3S
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUFA76619D3S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12850758
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HUFA76619D3S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
767 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
HUFA76
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN10H099SK3-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
5074
TEILNUMMER
DMN10H099SK3-13-DG
Einheitspreis
0.19
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