Hersteller Produktnummer:
HUF76639S3ST-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUF76639S3ST-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12836452
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HUF76639S3ST-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
HUF76
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
HUF76639S3ST_F085CT-DG
HUF76639S3ST-F085CT
HUF76639S3ST-F085DKR
HUF76639S3ST_F085DKR
HUF76639S3ST_F085
HUF76639S3ST_F085TR
HUF76639S3ST_F085CT
HUF76639S3ST_F085-DG
HUF76639S3ST_F085TR-DG
HUF76639S3ST-F085TR
HUF76639S3ST_F085DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN034-100BS,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4605
TEILNUMMER
PSMN034-100BS,118-DG
Einheitspreis
0.51
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