Hersteller Produktnummer:
HUF76633S3ST-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUF76633S3ST-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 39A (Tc) 183W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12838504
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HUF76633S3ST-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 39A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1810 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
183W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
HUF76
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
HUF76633S3ST_F085DKR
HUF76633S3ST_F085TR-DG
HUF76633S3ST_F085DKR-DG
HUF76633S3ST_F085TR
HUF76633S3ST_F085CT-DG
HUF76633S3ST_F085CT
HUF76633S3ST_F085-DG
HUF76633S3ST-F085DKR
HUF76633S3ST-F085TR
HUF76633S3ST_F085
HUF76633S3ST-F085CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB30NF10T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
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971
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STB30NF10T4-DG
Einheitspreis
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