Hersteller Produktnummer:
HUF76629D3ST-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
HUF76629D3ST-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12836944
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HUF76629D3ST-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UltraFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
HUF76
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
HUF76629D3ST_F085-DG
HUF76629D3ST_F085CT
HUF76629D3ST-F085TR
HUF76629D3ST_F085DKR
HUF76629D3ST_F085DKR-DG
HUF76629D3ST-F085CT
HUF76629D3ST_F085TR-DG
HUF76629D3ST-F085DKR
HUF76629D3ST_F085
HUF76629D3ST_F085CT-DG
HUF76629D3ST_F085TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD15NF10T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
2040
TEILNUMMER
STD15NF10T4-DG
Einheitspreis
0.48
ERSATZART
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