Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FW811-TL-E
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FW811-TL-E-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 35V 8A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 35V 8A 2.2W Surface Mount 8-SOP
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12837972
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FW811-TL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
35V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
660pF @ 20V
Leistung - Max
2.2W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOP
Basis-Produktnummer
FW811
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FW811-TL-E
HTML-Datenblatt
FW811-TL-E-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
EFC2K103NUZTDG
MOSFET 2N-CH 12V 40A 10WLCSP
EFC8822R-TF
MOSFET N-CH DUAL 6CSP
CPH5617-TL-E
MOSFET 2N-CH 30V 0.15A 5CPH
ECH8661-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8ECH