Hersteller Produktnummer:
FQU2N90TU-WS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQU2N90TU-WS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12848682
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Menge
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FQU2N90TU-WS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
FQU2N90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Andere Namen
FQU2N90TU_WS
FQU2N90TU_WS-DG
1990-FQU2N90TU-WS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQD2N90TM
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
11464
TEILNUMMER
FQD2N90TM-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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