Hersteller Produktnummer:
FQU1N60TU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQU1N60TU-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
12838625
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Menge
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FQU1N60TU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
FQU1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,040
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD1NK60-1
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
5751
TEILNUMMER
STD1NK60-1-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
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