Hersteller Produktnummer:
FQT2P25TF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQT2P25TF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 250 V 550mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventar:
12922866
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Menge
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FQT2P25TF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
550mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 275mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
FQT2P25
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
FQT2P25TFTR
FQT2P25TFDKR
FQT2P25TFCT
FQT2P25TF-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSP317PH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8987
TEILNUMMER
BSP317PH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
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