Hersteller Produktnummer:
FQS4900TF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQS4900TF-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 1.3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V, 300V 1.3A, 300mA 2W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12849949
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Menge
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FQS4900TF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V, 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A, 300mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.95V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
-
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FQS4900
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-FQS4900TF-488
FQS4900TFDKR
2832-FQS4900TFTR
FQS4900TFTR
FQS4900TF-DG
FQS4900TFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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