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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FQS4410TF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQS4410TF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
Angebot Anfrage Online
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FQS4410TF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FQS4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FQS4410TF
HTML-Datenblatt
FQS4410TF-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSO110N03MSGXUMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
7364
TEILNUMMER
BSO110N03MSGXUMA1-DG
Einheitspreis
0.32
ERSATZART
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DMN3016LSS-13
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