Hersteller Produktnummer:
FQPF8P10
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQPF8P10-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 5.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12839548
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FQPF8P10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 2.65A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQPF8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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