Hersteller Produktnummer:
FQPF4N90CT
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQPF4N90CT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12850875
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FQPF4N90CT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
960 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
47W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQPF4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-FQPF4N90CT-OS
ONSONSFQPF4N90CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2SK3564(STA4,Q,M)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
176
TEILNUMMER
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
Einheitspreis
0.54
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