FQPF18N20V2YDTU
Hersteller Produktnummer:

FQPF18N20V2YDTU

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQPF18N20V2YDTU-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventar:

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FQPF18N20V2YDTU Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Basis-Produktnummer
FQPF1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQPF18N20V2YDTU
HTML-Datenblatt
FQPF18N20V2YDTU-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RCX200N20
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
118
TEILNUMMER
RCX200N20-DG
Einheitspreis
0.56
ERSATZART
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Teilenummer
STF20NF20
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Einheitspreis
0.73
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0
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