FQPF17N08L
Hersteller Produktnummer:

FQPF17N08L

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQPF17N08L-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 11.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

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12851101
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FQPF17N08L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
520 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQPF1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQPF17N08L
HTML-Datenblatt
FQPF17N08L-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRFI530NPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
7816
TEILNUMMER
IRFI530NPBF-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
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