FQPF12N60T
Hersteller Produktnummer:

FQPF12N60T

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQPF12N60T-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 5.8A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

12846378
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FQPF12N60T Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQPF1

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
STP10NK60ZFP
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
1027
TEILNUMMER
STP10NK60ZFP-DG
Einheitspreis
1.49
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