FQP6N15
Hersteller Produktnummer:

FQP6N15

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQP6N15-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 6.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

12850575
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FQP6N15 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
270 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP6

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
RCX080N25
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
246
TEILNUMMER
RCX080N25-DG
Einheitspreis
0.43
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF12N65

MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F

onsemi

BSS100

MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3

onsemi

FDV302P

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23

onsemi

FCPF36N60NT

MOSFET N-CH 600V 36A TO220F