Hersteller Produktnummer:
FQP50N06L-EPKE0003
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP50N06L-EPKE0003-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 65A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 121W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12987046
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FQP50N06L-EPKE0003 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
52.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 26.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
121W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
488-FQP50N06L-EPKE0003
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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