Hersteller Produktnummer:
FQP4N90C
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQP4N90C-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12838746
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FQP4N90C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
960 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FQP4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2832-FQP4N90C
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP3NK90Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
361
TEILNUMMER
STP3NK90Z-DG
Einheitspreis
0.77
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Teilenummer
IXTP3N120
HERSTELLER
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0
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IXTP3N120-DG
Einheitspreis
4.06
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