FQI27P06TU

Hersteller Produktnummer:

FQI27P06TU

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQI27P06TU-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK

Detaillierte Beschreibung:

P-Channel 60 V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventar:

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12848395

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FQI27P06TU Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

QFET®

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 13.5A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1400 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

I2PAK

Paket / Koffer

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Basis-Produktnummer

FQI2

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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