Hersteller Produktnummer:
FQD4N50TF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQD4N50TF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12838869
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FQD4N50TF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
460 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK3P50D,RQ(S
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
1899
TEILNUMMER
TK3P50D,RQ(S-DG
Einheitspreis
0.40
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