Hersteller Produktnummer:
FQD4N25TM-WS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQD4N25TM-WS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12837044
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FQD4N25TM-WS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.75Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD4N25
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FQD4N25TM_WSTR
2832-FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM-WSCT
2832-FQD4N25TM-WS-488
FQD4N25TM_WS-DG
2156-FQD4N25TM-WS-OS
FQD4N25TM_WS
FQD4N25TM_WSDKR-DG
FQD4N25TM-WSDKR
FQD4N25TM_WSDKR
ONSONSFQD4N25TM-WS
FQD4N25TMWS
FQD4N25TM_WSTR-DG
FQD4N25TM_WSCT
FQD4N25TM-WSTR
FQD4N25TM_WSCT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR214TRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1947
TEILNUMMER
IRFR214TRPBF-DG
Einheitspreis
0.48
ERSATZART
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